芯片的出生粗略需要经过以下步骤：设计(design)，流片（tape out），封装(package)，测试(test) 。芯片流片后的测试包括封装前的晶圆测试CP（Chip Probing），封装后的出厂测试FT（Final Test），封测后的功能验证测试，可靠性测试（Reliability test）。
一、晶圆测试（Chip Probing）
在晶圆制造完成后进行封装前，通过探针台和测试机配合使用，对晶圆上的芯片进行功能和电参数性能测试。
其目的包含通过CP测试筛选出某项参数精度；通过trim 实现芯片功能；车规芯片要求做CP测试以严格筛选Wafer 的良率。
二、FT测试（Final Test）
FT测试为了监测在制造过程中芯片是否有缺陷而影响芯片的功能性能，从而进行筛选。
封装厂根据芯片设计公司提供来提供 Design Spec 和 Test Spec(datasheet)来制定 Test Plan,开发测试程序，建立测试项。
一般对于芯片数据手册中标注有极限值（最大最小值）的参数都是依据FT测试卡控的结果标注而来，出厂芯片参数应当严格符合其范围。比如运放指标的Vos,Ib，Aol,CMRR,PSRR,VCM,IQ,ISC,VCC等都需要做FT卡控管理。
三、功能测试（Character Validation in Lab）
根据芯片设计预期，进行测试，验证芯片功能可实现性。AE设计Demo板，留有测试点方便进行测试。其测试表现由于Layout与外围电路参数 与终端客户并非完全一致，因此Demo测试结果也与客户实际应用表现会略有差异。（举例BQ25895 Demo）
测试后形成Demo Test Report，包含具体测试条件与测试结果。（举例BQ25895）
Demo Test Report 重点内容会整合进数据手册给使用者参考。
四、可靠性测试（Reliability test）
验证过芯片的功能后需要对芯片的可靠性进行测试验证。